本文摘要：OFweek光通讯网：IBM苏黎世研究实验室(IBMResearchofZurich)研发出有一种尺寸极为微小的纳米线，具备一般标准材料所没的光学特性，从而为研发出有基于半导体纳米线的新一代晶体管电路研究而铺路。

OFweek光通讯网：IBM苏黎世研究实验室(IBMResearchofZurich)研发出有一种尺寸极为微小的纳米线，具备一般标准材料所没的光学特性，从而为研发出有基于半导体纳米线的新一代晶体管电路研究而铺路。　　该研究实验室与挪威科技大学(NorwegianUniversityofScienceandTechnology)合作的近期找到是一种在硅基底上产生机械突发事件砷化镓(GaAs)纳米线的创意技术，不仅需要加以调整成有所不同的光谱色彩，同时还能从使其从光发射器转换成光探测器。　　IBM苏黎世研究实验室多年来持续研究如何将低电子迁移率III-V材料(砷化镓、砷简化铟与砷简化铟镓等)统合于标准硅晶有序金属氧化物半导体(CMOS)芯片的方法。

因此，该实验室早已尝试过许多精致的III-V族化合物了。　　目前有几种可在未来代替/修补硅晶晶体管的有所不同方案。传统n地下通道晶体管尤其寄予厚望III-V族材料，因为这些材料具备比硅晶更高的电迁移率，特别是在是砷简化铟镓(InGaAs)三元化合物，IBM科学家及该研究论文作者GiorgioSignorello回应。

IBM研发出有可为未来芯片彰显光学性能的突发事件GaAs纳米线(橙色部份)。（资料来源：IBM）　　IBM苏黎世研究实验室也在探寻其它的器件架构，例如嵌于InGaAs与砷简化铟(InAs)合金中的穿着隧场效晶体管(FET)。这种穿着隧FET可实现超强低功耗作业，从而有助IBM定义新一类的纳米线CMOS。

　　某种程度类型的纳米线材料也限于于构建某些下一代硅光子芯片所需的光电器件。换句话说，III-V族纳米线可实现高性能的CMOS晶体管、低功耗的穿着隧TFT、硅光子，以及具备技术影响力的物理现象，Signorello说道。　　这种新的物理现象是利用剪切以纤维锌矿晶体生长的III-V族材料──这种纤维锌矿晶体具备完全相同类型的原子结构，需要在剪切压电材料时带给类似的性能。

就像压电材料一样，GaAs纤维锌矿晶体并不必要产生电力，而是在受到剪切时具备切换光线的能力，从而使其闪烁光谱可加以调整以及转换成光探测器。　　在实际操作时，GaAs纳米线可经由动态剪切来调整只不过时的属性，或者可一次把全部都调整成永久具备某种相同功能。　　应以这两种解决方案都可加以构建，但是，在我看来，最有意思的解决方案是一种人们可以大大调整其应变力的规画方式，Signorello说道，这种解决方案还能针对闪烁的颜色展开掌控与持续调整，而且还有可能带给根本性影响，尤其是考虑到波分适配等在同一光纤中的有所不同色信道上传送数据的可能性。

　　IBM苏黎世研究实验室的研究目前已能超过200meV的固定式范围了，但还有可能再进一步加以拓展。同时，IBM先前也早已解决问题了如何利用外延生长方式在硅基板上加装III-V族纳米线的问题。　　Signorello特别强调，我们早已证实GaAs与InAs等III-V族纳米线可必要统合于硅晶圆上了，超过了目前的产业标准。

通过在完全相同硅基板上统合光发射器与光探测器，IBM希望未来需要减少彼此之间以光(而非电力)展开通讯的纳米光子芯片复杂度。

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